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晶体管
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STGF7NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
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10
¥10.1474
101.474
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF7NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPCA8006-H(TE12LQM
Toshiba
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暂无价格
参考库存:42030
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -150mA -50V
暂无价格
参考库存:42035
D3S080N65E-T
D3
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800:¥15.368
2,400:¥14.5996
4,800:¥14.0572
参考库存:42040
2N4401
Rectron
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20,000:¥0.12317
参考库存:42045
STS4DPF30L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp
暂无价格
参考库存:42050

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    50万现货SKU

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