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晶体管
FZ600R12KS4参考图片

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FZ600R12KS4

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库存:3,085(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,133.8533
1133.8533
5
¥1,106.5751
5532.8755
10
¥1,079.0596
10790.596
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
700 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3900 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ600R12KS4HOSA1 SP000100773
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:44460
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -40V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:44465
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:44470
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:44475
晶体管
MOSFET 60V 119A 175W AEC-Q101 Qualified
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
250:¥17.063
500:¥15.2889
参考库存:44480
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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