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晶体管
SQ3427EV-T1_GE3参考图片

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SQ3427EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:274,612(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:16426
晶体管
MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:6003
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:5175
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3782
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.5262
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:6534
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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