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晶体管
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IRGB4060DPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存：6,809(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.5205
3630.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
99 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533960
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
暂无价格
参考库存:55982
STGW60H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:9250
JANTX2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥272.556
250:¥254.4195
参考库存:55989
JAN2N5682
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

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