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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	SiC
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-7
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	1.2 kV
Id-连续漏极电流	25 A
Rds On-漏源导通电阻	100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	55 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	170 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	4.597 mm
长度	10.668 mm
类型	Transistor/Schottky Diode Co-Pack
宽度	9.169 mm
商标	GeneSiC Semiconductor
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
单位重量	1.600 g

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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