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晶体管
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STW56N65DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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1
¥76.84
76.84
10
¥69.4611
694.611
25
¥66.2406
1656.015
100
¥57.4718
5747.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW56N65DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
7.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
157 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTD2090E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV
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NVD6414ANT4G-VF01
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2,500:¥3.7403
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
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7,500:¥0.86106
10,000:¥0.80682
25,000:¥0.73789
50,000:¥0.71416
100,000:¥0.68365
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10,000:¥1.7515
25,000:¥1.6837
50,000:¥1.6611
参考库存:47241

  • 海量现货

    50万现货SKU

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