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晶体管
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STGFW20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N3637UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥2,046.2492
参考库存:54128
IPW50R250CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
500:¥14.4414
参考库存:5596
RN2402T5LFT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:54135
JANTX2N3500L
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥139.6906
250:¥128.2437
500:¥122.0174
参考库存:54140
NCV84160DR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 160MOHM SMARTFET
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,500:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:54145

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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