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产品分类

晶体管
BSM35GD120DN2E3224参考图片

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BSM35GD120DN2E3224

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库存:3,727(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:12590
晶体管
MOSFET N-Channel PowerTrench
1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
500:¥21.2892
800:¥21.2892
参考库存:17762
晶体管
MOSFET Dl N-Ch Enhancement
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,500:¥4.407
参考库存:39969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/500V
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.13
参考库存:45466
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP27N60K
1:¥63.9354
10:¥57.5509
25:¥52.4094
100:¥47.3357
参考库存:6763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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