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晶体管
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IRG4PSC71KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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数量单价合计
1
¥156.7536
156.7536
10
¥144.075
1440.75
25
¥138.1538
3453.845
100
¥121.7123
12171.23
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.83 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544764
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 6A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:50824
JAN2N918UB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥216.3046
250:¥198.4732
参考库存:50829
JANTXV2N6385
Microsemi
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100:¥591.1256
参考库存:50834
2N3500U4/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥714.0018
参考库存:50839
JAN2N6283
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晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥541.8802
5:¥519.0542
10:¥509.9916
25:¥478.103
参考库存:50844

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