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晶体管
IRG4PSC71KDPBF参考图片

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IRG4PSC71KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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库存:4,169(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.7536
156.7536
10
¥144.075
1440.75
25
¥138.1538
3453.845
100
¥121.7123
12171.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.83 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544764
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 300V 12Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:18599
晶体管
MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
参考库存:10581
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:28483
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:25945
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥1,104.4959
10:¥994.0836
参考库存:4872
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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