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晶体管
FF400R12KE3参考图片

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FF400R12KE3

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库存:4,430(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3HOSA1 SP000100781
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:5330
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:17032
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:9409
晶体管
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:42336
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:9838
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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