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晶体管
QPD1004SR参考图片

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QPD1004SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
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库存:5,068(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥615.4884
615.4884
25
¥543.869
13596.725
100
¥480.5551
48055.51
200
¥451.7401
90348.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
输出功率
40 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
27.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1004
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1004EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1004
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.69156
500:¥0.52997
3,000:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:31480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H VL fast-switching
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:8522
晶体管
IGBT 晶体管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4314
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:17201
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
1:¥30.4309
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
参考库存:3588
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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