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晶体管
APTGT100H60T3G参考图片

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APTGT100H60T3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:4,853(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥639.9981
639.9981
5
¥620.0197
3100.0985
10
¥601.1939
6011.939
25
¥574.0739
14351.8475
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
11.5 mm
长度
73.4 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
40.8 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5042
250:¥26.1256
500:¥23.4362
参考库存:3366
晶体管
IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:4083
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
1,500:¥2.4634
参考库存:16230
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:3247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:47504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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