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晶体管
APTGT100H60T3G参考图片

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APTGT100H60T3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:4,853(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥639.9981
639.9981
5
¥620.0197
3100.0985
10
¥601.1939
6011.939
25
¥574.0739
14351.8475
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP-3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
11.5 mm
长度
73.4 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
40.8 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120pF 200 Volts 50W TRANSISTOR, BIPOLAR
1:¥281.0084
5:¥264.4087
10:¥256.1823
50:¥243.0404
参考库存:1170
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
1:¥6.7574
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
1,500:¥2.7233
参考库存:23342
晶体管
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
1:¥38,695.0872
参考库存:1104
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ., 52 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:13591
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, .1A
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.41471
参考库存:11043
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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