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晶体管
STGWT40V60DF参考图片

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STGWT40V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:5,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5,000:¥4.5087
10,000:¥4.3392
参考库存:44970
晶体管
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
1:¥6.6896
10:¥5.7969
25:¥5.1302
50:¥4.9607
1,000:¥2.5764
2,000:查看
参考库存:44975
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.8871
参考库存:44980
晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥538.8744
10:¥494.4654
25:¥443.751
50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:44985
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥18.7467
10:¥15.5262
100:¥13.0628
500:¥12.0684
1,000:¥11.4469
3,000:¥10.8367
参考库存:19648
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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