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晶体管
SIHP21N80AE-GE3参考图片

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SIHP21N80AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB
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库存：6,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5836
33.5836
10
¥27.8206
278.206
100
¥22.8938
2289.38
250
¥22.2045
5551.125
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17.4 A
Rds On-漏源导通电阻
235 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
76 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F3L100R07W2E3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A
1:¥423.0833
5:¥413.5574
10:¥397.421
25:¥384.5842
参考库存:2542
SI7234DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
3,000:¥15.0629
参考库存:28639
BSP171P H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:75716
FDD3690
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:14828
STP11NK50Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:4320

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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