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晶体管
IPN70R600P7SATMA1参考图片

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IPN70R600P7SATMA1

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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.746
47.46
100
¥3.0623
306.23
1,000
¥2.4521
2452.1
3,000
¥2.4521
7356.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPN70R600P7S SP001657476
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:51880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51885
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:51890
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 50mA 350mW 2.8mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:51895
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF
2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
参考库存:51900
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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