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晶体管

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DMN1006UCA6-7

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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6895
46.895
100
¥3.0284
302.84
1,000
¥2.4182
2418.2
3,000
¥2.4182
7254.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X3-DSN2718-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
16.6 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms, 5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
35.2 nC, 35.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3812 ns, 3812 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1447 ns, 1447 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
2736 ns, 2736 ns
典型接通延迟时间
615 ns, 615 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.26894
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.14577
参考库存:42971
晶体管
MOSFET BUK7C3R1-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
暂无价格
参考库存:42976
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:42981
晶体管
MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
2,000:¥11.6051
4,000:¥11.2209
参考库存:42986
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:42991
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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