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晶体管
BSC123N10LSGATMA1参考图片

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BSC123N10LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:26,356(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
1,000
¥6.2715
6271.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
71 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSC123N10LS BSC123N1LSGXT G SP000379612
单位重量
166 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
1:¥8.3733
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
2,500:¥3.4013
10,000:查看
参考库存:16480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:72777
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:9494
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:26791
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.1472
3,000:¥6.1472
参考库存:19498
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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