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晶体管
FDD9507L-F085参考图片

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FDD9507L-F085

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PMOS DPAK -40V -100A 4.4 mOhm
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
2,500
¥5.65
14125
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
132 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80N03S4L-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
参考库存:8713
KSC2328AYBU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:18160
TTA0002(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
1:¥28.2048
10:¥25.199
50:¥22.6678
100:¥20.6677
参考库存:2672
STX13005
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
参考库存:13359
LND150N3-G-P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET DepletionMode MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥3.0058
2,000:¥3.0058
参考库存:9786

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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