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晶体管

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FS150R17PE4

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数量单价合计
1
¥1,797.4458
1797.4458
5
¥1,754.2572
8771.286
10
¥1,710.6844
17106.844
25
¥1,686.7171
42167.9275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
835 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R17PE4BOSA1 SP000631454
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1:¥85.1342
10:¥78.0717
25:¥70.9979
100:¥63.8563
1,000:¥47.9459
参考库存:5970
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 GP XSTR NPN 45V
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
3,000:¥0.49946
参考库存:42587
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.09836
1,000:¥0.83733
4,000:¥0.70738
参考库存:20014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 47kOhm NPN Dual Trans 200mW
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:16011
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:3888
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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