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晶体管
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E3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN4904,LF
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
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BC847CW,135
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
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1,000:¥0.2147
2,500:¥0.16159
10,000:¥0.13786
参考库存:153072
2N5783
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1:¥155.9061
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10:¥144.2332
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参考库存:3564
TP2540N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
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1:¥12.9046
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100:¥8.1473
2,000:¥5.2545
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MMST8098T146
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE MOUNT
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:17776

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