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晶体管
STGW8M120DF3参考图片

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STGW8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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库存:4,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.6676
1866.76
250
¥17.7523
4438.075
500
¥15.9104
7955.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW8M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
1:¥5.4579
10:¥4.5991
100:¥3.4465
500:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:29988
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
1:¥31.1202
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:42184
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
参考库存:6660
晶体管
MOSFET MOSFET SOP-8L
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:10777
晶体管
MOSFET Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:35414
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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