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晶体管
RGS00TS65DHRC11参考图片

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RGS00TS65DHRC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
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数量单价合计
1
¥33.1203
33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGS00TS65DHR
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP6250SFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:42563
STW75N60M6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥85.9026
参考库存:42568
PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:42573
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:42578
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:42583

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