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晶体管
SPD30P06PGBTMA1参考图片

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SPD30P06PGBTMA1

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库存:26,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
2,500
¥4.5313
11328.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD30P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
G SP000441776 SPD30P06P SPD3P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,958.2674
5:¥1,911.169
10:¥1,863.6751
25:¥1,837.5495
参考库存:2205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:13487
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:84519
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.4361
参考库存:4546
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
3,000:¥4.6669
参考库存:20083
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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