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晶体管
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STGF30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥553.7904
参考库存:56250
JAN2N2904AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.1073
250:¥102.1972
500:¥95.6658
1,000:¥87.7558
参考库存:56255
RMP6N60T2
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
2,000:¥2.486
4,000:¥2.2713
10,000:¥2.0679
24,000:¥2.034
参考库存:56260
JANTX2N3810L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥218.3838
250:¥200.3942
参考库存:56265
2N6987U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥390.8896
200:¥369.058
参考库存:56270

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