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晶体管
FS75R07N2E4参考图片

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FS75R07N2E4

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库存:2,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥616.9461
616.9461
5
¥605.5783
3027.8915
10
¥578.3792
5783.792
25
¥559.0901
13977.2525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R07N2E4BOSA1 SP000843932
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:7860
晶体管
MOSFET NX3020NAKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:217267
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3675
500:¥4.746
800:¥3.7403
参考库存:23774
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 400A
1:¥850.0764
5:¥834.4033
10:¥796.9099
25:¥770.321
参考库存:1641
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
1:¥52.5563
10:¥47.3357
50:¥43.1095
100:¥38.8833
参考库存:6468
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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