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晶体管
FS75R07N2E4参考图片

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FS75R07N2E4

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库存:2,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥616.9461
616.9461
5
¥605.5783
3027.8915
10
¥578.3792
5783.792
25
¥559.0901
13977.2525
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R07N2E4BOSA1 SP000843932
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.89157
2,500:¥0.75258
参考库存:4795
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED FREQ
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:19247
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7122
参考库存:8164
晶体管
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:7841
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:32788
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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