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晶体管
STGW35NB60SD参考图片

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STGW35NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V
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库存:8,835(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW35NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A Dual
1:¥501.6861
5:¥492.4653
10:¥472.1027
25:¥457.3562
参考库存:1896
晶体管
MOSFET 30V 2.1A N-Channel
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:261103
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:22145
晶体管
MOSFET 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
2,500:¥2.2713
参考库存:77612
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.9156
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.729
1,000:¥3.5256
3,000:¥3.2657
参考库存:159269
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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