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晶体管
STGWT40HP65FB参考图片

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STGWT40HP65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:5,999(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40HP65FB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 10kO Input Resist
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:160888
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:12415
晶体管
MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:7722
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:4839
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
2,500:¥3.6386
参考库存:16041
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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