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IKW25N120H3

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数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RMP2N60LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
5,000:¥1.3108
10,000:¥1.1978
25,000:¥1.1865
参考库存:53600
JANS2N2919/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,149.7524
100:¥1,149.7524
参考库存:53605
STW12NK95Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
1:¥39.7986
10:¥33.8096
100:¥29.3574
250:¥27.8206
参考库存:6873
2SC6026CT-GR
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V
暂无价格
参考库存:53612
JANTXV2N3715
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥536.1172
参考库存:53617

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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