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晶体管
IKW25N120H3参考图片

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IKW25N120H3

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库存:3,470(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 15A
1,500:¥8.5315
4,500:¥8.2264
9,000:¥7.91
参考库存:44859
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
5,000:¥15.7522
参考库存:44864
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
2,500:¥1.07576
参考库存:44869
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
3,000:¥6.4862
6,000:查看
参考库存:19532
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥1.09158
参考库存:44876
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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