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晶体管
IPP60R190P6参考图片

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IPP60R190P6

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库存:12,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.7521
1375.21
500
¥12.0684
6034.2
1,000
¥9.9892
9989.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPP60R190P6XKSA1 SP001017066
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
1:¥3.9211
10:¥3.0284
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
9,000:¥0.99101
参考库存:84489
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:57351
晶体管
MOSFET 200V N-Channel MOSFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:15853
晶体管
MOSFET P-CHANNEL MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.6106
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:25475
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W NPN
1:¥7.3789
10:¥6.2828
参考库存:16627
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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