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晶体管
STGD5H60DF参考图片

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STGD5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
2,500
¥3.0623
7655.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN5197
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
67:¥106.1974
100:¥97.745
250:¥89.0553
500:¥83.2923
参考库存:46064
TK14C65W5,S1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
50:¥19.6733
100:¥17.8992
250:¥16.2155
500:¥14.5205
参考库存:46069
PHKD3NQ10T,518
Nexperia
晶体管
MOSFET PHKD3NQ10T/SO8/REEL 13" Q1/T1
暂无价格
参考库存:46074
2N497
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥172.0425
5:¥164.3585
10:¥159.217
25:¥146.3011
参考库存:46079
FD1200R17HP4-K_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1200A 1700V
1:¥8,174.1601
参考库存:46084

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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