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晶体管
SIHL630STRL-GE3参考图片

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SIHL630STRL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.3845
638.45
500
¥5.4918
2745.9
800
¥4.3392
3471.36
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SIH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor Lo Freq 0.15A 50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:89241
2N4037
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6498
2SC4027T-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:16025
DTC123JET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:137492
VN2106N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 4Ohm
1:¥2.8476
10:¥2.8024
25:¥2.373
100:¥2.1357
参考库存:11129

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    50万现货SKU

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