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晶体管
SUP80090E-GE3参考图片

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SUP80090E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-220
  • 数据手册下载
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库存:5,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
114 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
1:¥3.842
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.4803
参考库存:145949
晶体管
MOSFET SINGLE P-CHANNEL
1:¥3.2996
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.70738
参考库存:203511
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥56.8616
10:¥51.2568
25:¥46.6464
100:¥42.1038
参考库存:6503
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥7.3789
10:¥6.3167
100:¥4.859
500:¥4.2827
4,000:¥3.0058
8,000:查看
参考库存:41865
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
1:¥33.6514
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
参考库存:8857
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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