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晶体管
SIHP100N60E-GE3参考图片

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SIHP100N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
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库存：9,001(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.4991
38.4991
10
¥31.8886
318.886
100
¥26.2838
2628.38
250
¥25.4363
6359.075
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCW68GLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:145256
DDTB142TC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 500mW
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:64048
BUK9Y4R4-40E,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 4.4 mo FET
1:¥6.9156
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:9240
APT6010B2FLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥308.3544
5:¥297.981
10:¥288.3082
25:¥266.6348
参考库存:1952
PEMD2,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:71554

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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