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晶体管
FZT849TA参考图片

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FZT849TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
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库存:46,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
350 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT849
直流电流增益 hFE 最大值
100
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 20 A, 2 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7348
1,000:¥5.3223
1,500:¥5.3223
参考库存:133394
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:49011
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
5,000:¥2.147
参考库存:24958
晶体管
MOSFET 30V 40A 83W
1:¥32.0468
10:¥26.5098
100:¥21.8203
250:¥21.131
3,000:¥21.131
参考库存:33195
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥12.5204
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
2,000:¥4.7573
10,000:查看
参考库存:33182
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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