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晶体管
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STFW40N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
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数量单价合计
1
¥68.6927
68.6927
10
¥62.0822
620.822
25
¥59.1668
1479.17
100
¥51.4037
5140.37
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STFW40N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
300
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
20.5 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR014PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014
1:¥6.9947
10:¥5.5596
500:¥4.2149
1,000:¥3.4126
参考库存:22233
BC847BV,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
4,000:¥0.41471
参考库存:386520
BUK764R0-55B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:17882
TK31V60W,LVQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
1:¥64.7038
10:¥58.2402
25:¥53.0987
100:¥47.8668
2,500:¥33.6514
参考库存:6899
MMSTA92-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:104846

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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