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晶体管

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FZ800R12KE3

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库存:4,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,217.1456
1217.1456
5
¥1,187.7882
5938.941
10
¥1,158.363
11583.63
25
¥1,142.0684
28551.71
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
800 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ800R12KE3HOSA1 SP000100782
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 200MW
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:264659
晶体管
MOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5652
2,500:¥4.0454
参考库存:16061
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:83563
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥1.8871
参考库存:28565
晶体管
MOSFET BUK9M24-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
1,500:¥1.6272
参考库存:41067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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