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晶体管
IPB65R110CFDA参考图片

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IPB65R110CFDA

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库存:7,911(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.7199
47.7199
10
¥43.1095
431.095
25
¥41.1094
1027.735
100
¥35.6515
3565.15
1,000
¥27.0522
27052.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R11CFDAXT SP000896402
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥48.4092
10:¥43.6406
50:¥39.7308
100:¥35.8888
参考库存:2400
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.5369
10:¥2.9606
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1865
参考库存:19962
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
1:¥1,834.4759
5:¥1,795.7508
10:¥1,756.9466
50:¥1,756.9466
参考库存:1884
晶体管
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
2,000:¥8.9948
4,000:查看
参考库存:128496
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA
1:¥0.84524
10:¥0.83733
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
3,000:¥0.15368
参考库存:7550793
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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