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晶体管
IKB15N65EH5ATMA1参考图片

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IKB15N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.5941
175.941
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.4414
3610.35
3,000
¥10.3734
31120.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N65EH5 SP001502570
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD5C454NLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
1:¥8.3733
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
2,500:¥3.4013
10,000:查看
参考库存:16480
FMB2222A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:72777
STGP10H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:9494
STD2N105K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:26791
IRFR220TRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.1472
3,000:¥6.1472
参考库存:19498

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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