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晶体管
SIHG050N60E-GE3参考图片

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SIHG050N60E-GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥75.5292
75.5292
10
¥68.0034
680.034
25
¥61.9353
1548.3825
100
¥55.935
5593.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
51 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
82 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT50SK170TG
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
参考库存:40427
TK16A60W,S4VX
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:40432
PXAC241002FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:40437
AUIRLR3915
Infineon / IR
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3,000:¥6.6783
6,000:¥6.4297
9,000:¥6.1811
参考库存:40442
APTGT200H60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥918.8482
参考库存:40447

  • 海量现货

    50万现货SKU

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