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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-666-6
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Reel
高度	0.6 mm
长度	1.7 mm
宽度	1.3 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
零件号别名	PEMB3 T/R
单位重量	6 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZXTNS618MCTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual	1:¥8.2264 10:¥7.0173 100:¥5.3901 500:¥4.7686 1,000:¥3.7629 3,000:¥3.7629	参考库存:16426
STF15N95K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5	1:¥40.6461 10:¥34.578 100:¥29.9676 250:¥28.4308	参考库存:6003
STGB7NC60HDT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp	1:¥12.9046 10:¥10.9836 100:¥8.7575 500:¥7.6727 1,000:¥6.3506	参考库存:5175
RGW60TK65GVC11	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	1:¥35.5724 10:¥30.1936 100:¥26.2047 250:¥24.8148	参考库存:3782
IPB039N10N3GE8187ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥22.1254 10:¥18.8258 100:¥16.2946 250:¥15.5262 1,000:¥11.752 2,000:查看	参考库存:6534