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晶体管
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SD4931

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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614.72
5
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10
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5763
25
¥557.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
14.8 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
250 MHz
系列
SD4931
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC858C
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51601
JANTX2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥440.3723
5:¥416.5519
10:¥411.7833
25:¥380.9004
参考库存:51606
NVMFS6B03NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
5,000:¥21.5152
参考库存:51611
2N6339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥430.53
2:¥422.62
5:¥417.8514
10:¥405.1728
参考库存:51616
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.9894
50:¥12.4526
100:¥11.2209
参考库存:51621

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