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晶体管
SIHF8N50L-E3参考图片

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SIHF8N50L-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存：25,795(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.6 ns
典型接通延迟时间
17.3 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHF8N50L-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:25795
RN1317(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:47575
RN2115,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:25802
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:7582
PDTC144ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:117474

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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