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晶体管
SQM40081EL_GE3参考图片

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SQM40081EL_GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263
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库存:7,989(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
92 S
下降时间
153 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:32979
晶体管
MOSFET BUK9M10-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
1,500:¥1.6385
参考库存:17601
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
1:¥6.0681
10:¥5.2432
100:¥3.6386
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:8688
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:13765
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:3527
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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