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晶体管
IPW60R070C6参考图片

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IPW60R070C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:17,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.8506
62.8506
10
¥56.7825
567.825
25
¥54.1722
1354.305
100
¥47.0306
4703.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
391 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPW60R070C6FKSA1 IPW6R7C6XK SP000645060
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.7631
500:¥5.9777
1,000:¥5.4014
参考库存:13371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:1091898
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.8994
10:¥19.8202
100:¥15.9104
500:¥12.3735
参考库存:8915
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7202
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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