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晶体管
FS75R12KE3参考图片

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FS75R12KE3

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库存:4,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥840.1663
840.1663
5
¥824.7192
4123.596
10
¥787.61
7876.1
25
¥761.3262
19033.155
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3BOSA1 SP000100414
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.0681
10:¥4.9042
2,500:¥4.9042
参考库存:73588
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
2,000:¥5.4353
参考库存:38035
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
3,000:¥5.8195
6,000:查看
参考库存:44522
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥40.7252
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
1,000:¥21.5152
2,000:查看
参考库存:48629
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:7376
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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