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晶体管
SIHB10N40D-GE3参考图片

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SIHB10N40D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
D
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
J111-D74Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥2.8476
10:¥1.9662
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.59212
参考库存:20539
FSB560A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:41351
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:43563
STB16NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:19185
TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
1:¥19.9784
10:¥16.0573
参考库存:30903

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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