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晶体管
MMDT2227Q-7-F参考图片

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MMDT2227Q-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V, - 60 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V, - 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V, - 1.6 V
最大直流电集电极电流
600 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT2227Q
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
600 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:39478
APTGT50H60RT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥442.9826
参考库存:39483
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ464EP-T1_GE3
3,000:¥5.7743
参考库存:39488
TK16N60W,S1VF
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
暂无价格
参考库存:39493
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:39498

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