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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDMC6679AZ	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V P-Channel Power Trench	1:¥6.3732 10:¥5.4466 100:¥4.181 500:¥3.6951 3,000:¥2.5877 9,000:查看	参考库存:119664
DMS3014SFG-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K	1:¥3.842 10:¥3.2318 100:¥1.9662 1,000:¥1.5255 2,000:¥1.2995	参考库存:3406
SPD04P10PGBTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2	1:¥5.8421 10:¥4.9042 100:¥3.164 1,000:¥2.5312 2,500:¥2.1357	参考库存:10428
BSP317P H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -250V -430mA SOT-223-3	1:¥6.2263 10:¥5.2206 100:¥3.3674 1,000:¥2.7007	参考库存:7915
BCP53-10T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V PNP	1:¥3.616 10:¥2.2939 100:¥0.9831 1,000:¥0.76049	参考库存:51017