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产品分类

晶体管
A2T09D400-23NR6参考图片

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A2T09D400-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:30,181(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥942.6008
141390.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 70 V
增益
17.9 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S-7
封装
Reel
工作频率
716 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935318726528
单位重量
5.285 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:17729
晶体管
IGBT 模块 High Power Module
1:¥836.0192
5:¥820.7303
10:¥783.768
参考库存:2851
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:36813
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
4,000:¥0.5537
参考库存:638045
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:14137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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