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晶体管
FDP053N08B-F102参考图片

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FDP053N08B-F102

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库存:8,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥11.30
113
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.91
3955
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
146 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP053N08B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FDP053N08B_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.2047
1,000:¥19.8202
2,000:查看
参考库存:5544
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:69486
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:32658
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:72800
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:43090
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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